光刻胶又称光致抗蚀剂，是由光引发剂(包括光增感剂、光致产酸剂)、光刻胶树脂、单体(活性稀释剂)、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体，是一种图形转移介质，可利用光照反应后溶解度不同将掩膜版图形转移至衬底上。
光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模集成电路的发展，促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。目前光刻胶被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，是电子制造领域的关键材料之一。
光刻工艺是半导体制造过程中的重要步骤。光刻工艺利用化学反应原理把事先制备在掩模上的图形转印到晶圆，完成工艺的设备光刻机和光刻胶都是占半导体芯片工厂资产的大头。
光刻工艺是用来在不同器件和电路表面上建立图形的工艺，在晶圆硅片表面曝光完成设计路的电路图，能做到分辨率清晰和定位无偏差电路，就如同建筑物一楼的砖块砌起来和二楼的砖块要对准，叠加的层数越高，技术难度大。按曝光波长，光刻胶可分为紫外(300～450nm)光刻胶、深紫外(160～280nm)光刻胶、极紫外(EUV，13.5nm)光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。
按照应用领域的不同，光刻胶又可以分为印刷电路板(PCB)用光刻胶、液晶显示(LCD)用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。PCB光刻胶技术壁垒相对其他两类较低，而半导体光刻胶代表着光刻胶技术水平。
光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；光照后形成可溶物质的为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为以下几种类型。
光聚合型：采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，生成聚合物，具有形成正像的特点。
光分解型：采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后，会发生光分解反应，由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。
光交联型：采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。
含硅光刻胶：为了避免光刻胶线条的倒塌，线宽越小的光刻工艺，就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点上，光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀.为此，研发了含Si的光刻胶，这种含Si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料上，其对光是不敏感的。
曝光显影后，利用氧等离子体刻蚀，把光刻胶上的图形转移到Underlayer上，在氧等离子体刻蚀条件下，含Si的光刻胶刻蚀速率远小于Underlayer，具有较高的刻蚀选择性[2] 。含有Si的光刻胶是使用分子结构中有Si的有机材料合成的，例如硅氧烷，硅烷，含Si的丙烯酸树脂等。
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